报告摘要： 近年来，二维材料由于其独特的光电性能而受到了广泛的关注。相比于零带隙的石墨烯，二维半导体材料如MoS2，WSe2等具有一定宽度的带隙，使其可以广泛应用于各种光电器件（包括存储器、探测器和晶体管等）。当前二维材料的实际应用还有很多问题亟需解决，这对我们而言，既是挑战，也是机遇。我们课题组针对二维半导体及光电器件进行了长期的探索，围绕材料的设计、制备和器件应用已经取得一些进展，部分材料在场效应晶体管和光探测器等方面显示出较好的性能。作为一种特殊的光电器件，偏振光探测器在光通信、成像等领域有非常重要的应用，这里我们主要针对新型二维半导体在偏振光探测方面的原型器件和工作机理进行汇报。我们发现具有二维层状堆积晶体结构和面内各向异性的GeSe与GeAs等材料表现出优异的偏振光探测性能，并且探测波段从可见区覆盖到红外区，这两种材料都在808 nm的短波近红外区获得最优性能。
报告人简介： 魏钟鸣，男，中国科学院半导体研究所研究员、博导，中国科学院大学岗位教授。2005年本科毕业于武汉大学，2010年7月于中国科学院化学研究所获理学博士学位。2010年8月至2013年8月，在丹麦哥本哈根大学做博士后研究。2013年9月至2015年1月，在丹麦哥本哈根大学任助理教授。2015年2月回国，入职中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，2016年获得基金委优秀青年科学基金。长期从事新型低维半导体材料（主要包括二维原子晶体、分子晶体等）的制备及其光电功能器件的研究工作。以通讯或第一作者在Nat. Commun.; Adv. Mater.; J. Am. Chem. Soc.; ACS Nano; Adv. Funct. Mater.等期刊发表论文60多篇，2021年入选“电子科学与技术学科”Elsevier 2020中国高被引学者。