新型III-V纳米线的光电探测响应与器件应用

III-V族半导体纳米线在光电子领域巨大应用潜力，使得实现高质量、特定结构、电子态可控的纳米线成为国际的热点。报告将从实验和理论相结合介绍III-V族纳米材料制备、生长机理和特异光电性质及其应用的最新进展。通过量子线生长机理的认识，实现对其生长途径的控制，揭示了外延生长的InGaAs纳米线的一种新颖的相分离现象，制备单纳米线的红外探测器件结构，发现了光电探测器件的反常光电导性质，讨论单纳米线的光电流响应与微结构的关系，获得高性能的探测响应，实现了不依赖雪崩放大的单光子探测的器件，进一步介绍纳米线复合结构的光电响应，探讨其在红外光电子器件中的应用。