高端硅基材料是集成电路先进工艺与5G芯片发展的基石，本报告将重点介绍课题组在新型异质集成SOI材料及器件，如 SiCOI、LNOI、III-VOI、GaOOI等研究进展，通过SOI材料技术实现新型半导体材料（III-V族、宽禁带半导体以及功能薄膜）的硅基异质集成。通过建立异质材料制备技术体系，为后摩尔时代核心光子、电子、及量子器件（色心等）及多种功能器件（声、光、电）的单芯片集成提供关键材料平台。
异质集成可以充分利用不同半导体材料及其他功能材料特殊的能带结构和物理性能，一方面可以制造频谱更宽阔、功能更丰富、性能更优异的微电子和光电子器件，另一方面可以实现分立器件的单芯片集成，推动电子系统向小型化、集成化方向发展。本报告面向化合物半导体、宽禁带半导体材料、各种功能薄膜与硅及其它衬底的晶圆级异质集成问题展开，重点介绍独立于传统薄膜生长方法之外的一种更为灵活的单晶薄膜制备与异质集成技术——智能剥离与转移技术。结合实验和理论模拟建立异质集成材料制备的物理模型和工艺方法。在此基础上，开发了晶圆级级新型光电异质集成材料与器件。
报告人简介：中科院上海微系统与信息技术研究所，信息功能材料国家重点实验室研究员、硅基材料与集成器件实验室副主任、2009年博士毕业于上海微系统所，2007-2015年在德国亥姆霍兹德累斯顿研究中心和德国马普微结构物理研究所学习和工作。长期从事SOI核心技术-离子注入技术研究，并将研究成果应用于开发SOI及异质集成XOI等高端硅基衬底材料技术中。作为负责人承担国家重点研发计划、基金委应急重点项目、基金委联合基金重点项目等研发任务。在国际上提出基于空位自组装的“万能离子刀”异质集成物理模型及工艺技术。成果以第一/通讯作者在Nat. com.、PRL、AM、Nanoletters、IEDM等发表，发表SCI论文70余篇，申请专利40余件，先后获得国际离子注入技术大会“青年科学家奖”、德国亥姆霍兹HZDR国家研究中心-年度研究奖、国际离子束改性杰出贡献奖-”IBMM Prize”。同时入选中科院优秀博士论文奖、上海市优秀学术带头人、上海市浦江人才、中国电子学会优秀科技工作者等荣誉称号。